温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD510B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:14A 10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CMD510B采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD510B
- 商品编号
- C5203896
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W；32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V；15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF；1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF；25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
060N10采用先进的技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 100V、14A,VGS = 10V时RDS(ON) ≤ 110mΩ
- VGS = 4.5V时RDS(ON) ≤ 130mΩ
- -100V、-10A,VGS = -10V时RDS(ON) ≤ 200mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- DC/DC转换器