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CMU30N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 30N10采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费电子、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU30N10
- 商品编号
- C5203900
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
CMS4892采用先进技术，具备低导通电阻、高开关性能和出色的可靠性。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 120mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 200mΩ
- 采用表面贴装封装的双MOSFET。
- 极低的导通电阻RDS(ON)
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）