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CMP110N08B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMP110N08B

1个N沟道 耐压:80V 电流:110A

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描述
110N08B采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制(PWM)、负载开关和通用应用。
商品型号
CMP110N08B
商品编号
C5203890
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)165W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)9.8nF
反向传输电容(Crss)480pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)500pF

商品概述

110N08B采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制(PWM)、负载开关和通用应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • LED电源控制器
  • 直流-直流(DC-DC)和直流-交流(DC-AC)转换器
  • 高电流、高速开关
  • 螺线管和继电器驱动器
  • 电机控制、音频放大器

数据手册PDF