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CMD100N68K
1个N沟道 耐压:68V 电流:100A
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- 描述
- 100N68K采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费电子、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD100N68K
- 商品编号
- C5203876
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@6V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 258pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
60N68K是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 最小化输入电容和栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 低导通电阻
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 开关应用