温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMB110N08B
1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 110N08B采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB110N08B
- 商品编号
- C5203891
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
110N08B采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED电源控制器
- 直流-直流（DC-DC）和直流-交流（DC-AC）转换器
- 高电流、高速开关
- 螺线管和继电器驱动器
- 电机控制、音频放大器