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CMD60N68K
1个N沟道 耐压:68V 电流:60A
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- 描述
- 60N68K采用先进的技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源以及电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD60N68K
- 商品编号
- C5203873
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF |
商品概述
80N06A采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-LED控制器-电源-DC-DC转换器