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CMP60N68K
1个N沟道 耐压:68V 电流:60A
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- 描述
- 60N68K是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP60N68K
- 商品编号
- C5203871
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMD603采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
商品特性
- 60V 13A，在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 45mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 50mΩ
- -60V -13A，在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 75mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 85mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 电源管理-负载开关-DC/DC转换器