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CMU60N68K实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMU60N68K

1个N沟道 耐压:68V 电流:60A

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描述
60N68K采用先进的技术和设计,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源以及电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品型号
CMU60N68K
商品编号
C5203872
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))11mΩ
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)3nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)500pF

商品概述

80N06A采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制(PWM)、负载开关和通用应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-LED控制器-电源-DC-DC转换器

数据手册PDF