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CMD75N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:75A
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- 描述
- 75N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD75N06
- 商品编号
- C5203863
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
30N06AL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- N沟道增强型
- 更低的导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC和DC-AC转换器
- 电机控制、音频放大器
- 大电流、高速开关
- 螺线管和继电器驱动器