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CMB3205B
1个N沟道 耐压:65V 电流:130A
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- 描述
- 3205B采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB3205B
- 商品编号
- C5203869
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
50N06K将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流与直流-交流转换器
- 电机控制、音频放大器
- 大电流、高速开关
- 12V和24V系统的初级开关