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CMB80N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 80N06A采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB80N06A
- 商品编号
- C5203865
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品概述
100N68K是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 90A
- 在栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.5mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 电源同步整流
- 适用于升压转换器