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CMSA012N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- CMSA012N06采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA012N06
- 商品编号
- C5203856
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA012N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应管（FET）。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6 mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器