温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FR024N
1个N沟道 耐压:60V 电流:17A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FR024N/FU024N采用了先进的沟槽MOSFET技术。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件非常适合用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- FR024N
- 商品编号
- C5203853
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMD4511采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
商品特性
- 40V、17A，VGS = 10V时RDS(ON)≤13mΩ
- VGS = 4.5V时RDS(ON)≤15mΩ
- -40V、-17A，VGS = -10V时RDS(ON)≤18mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- DC/DC转换器