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CMD603
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:13A
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- 描述
- CMD603采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD603
- 商品编号
- C5203851
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W；43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V；8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF；1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF；42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CMS9475采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 60V 13A,在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 45mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 50mΩ
- -60V -13A,在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 75mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 85mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-电源管理-负载开关-DC/DC转换器