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CMN2308M
1个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)。该产品适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2308M
- 商品编号
- C5203849
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
100N04是具有极高单元密度的N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
~~- 驱动要求简单-开关速度快-导通电阻低
应用领域
- 大电流、高速开关DC-DC和DC-AC转换器-电机控制、音频放大器-汽车环境中的螺线管和继电器驱动器