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CMD240
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 使用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，功率损耗降至最低。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD240
- 商品编号
- C5203838
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
2SK3065采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 50mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 58mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 电池开关