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CMP100N04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMP100N04

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

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描述
100N04是具有极高单元密度的N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
商品型号
CMP100N04
商品编号
C5203840
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.78克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)260W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)114nC@4.5V
输入电容(Ciss)6.5nF
反向传输电容(Crss)450pF
工作温度-65℃~+175℃
配置-

商品概述

06N03是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 06N03符合RoHS和绿色产品要求,100%经过抗雪崩能力(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

-驱动要求简单-开关速度快-导通电阻低

应用领域

-大电流、高速开关DC-DC和DC-AC转换器-电机控制、音频放大器-汽车环境中的螺线管和继电器驱动器

数据手册PDF