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CMF50N06T
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- CMF50N06T是一款超高密度N沟道MOSFET，可为同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF50N06T
- 商品编号
- C5203842
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMF50N06T采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
- 电机、灯具和螺线管控制
- LED照明和LED背光驱动器