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CMF50N06T
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- CMF50N06T是一款超高密度N沟道MOSFET，可为同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF50N06T
- 商品编号
- C5203842
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMD609采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 40V 12A，VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 21mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 25mΩ
- -40V -12A，VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 32mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 40mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- DC/DC转换器