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CMD4511
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:17A 停产
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- 描述
- CMD4511采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD4511
- 商品编号
- C5203834
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W；65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V；38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@20V；2.6nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@20V；165pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
CMSA30N06T采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，该器件适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用-电机驱动-汽车领域