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CMSA150N04A
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A 停产
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- 描述
- CMSA150N04A采用先进技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA150N04A
- 商品编号
- C5203836
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45.5pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FR024N/FU024N采用了先进的沟槽MOSFET技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。 这些器件非常适合用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 17A、60V，VGS = 10V时，RDS(ON)=0.046Ω
- 快速开关
- 先进的工艺技术
应用领域
- 电源
- 转换器
- 功率电机控制
- 桥接电路