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CMS4614
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A 7A
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- 描述
- CMS4614采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补型MOSFET可用于逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4614
- 商品编号
- C5203830
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V；14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF；2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF；65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
04N03是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 04N03L符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-双N沟道和P沟道MOSFET-表面贴装封装-可靠耐用-驱动要求简单-低导通电阻
应用领域
-电源管理DC/DC转换器-风扇、LCD逆变器系统中的电源管理