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CMS8447B
1个N沟道 耐压:40V 电流:11A
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- 描述
- CMS8447B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。这是一款通用型器件，适用于各种电源转换应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS8447B
- 商品编号
- C5203831
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA150N03采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,最大导通电阻rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,最大导通电阻rDS(on) = 27 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-便携式设备