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SM3113N
1个N沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- SM3113N是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- SM3113N
- 商品编号
- C5203821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
CMSA025N03采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 改善的dv/dt能力
- 100%保证耐雪崩能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关