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CMD100N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 100N03采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD100N03
- 商品编号
- C5203823
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMSA8972采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 驱动要求简单
- 开关速度快
- 导通电阻低
应用领域
- 不间断电源
- 直流电机控制
- 负载开关