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CMD150N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 150N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD150N03
- 商品编号
- C5203825
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.14nF |
商品概述
3080M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。3080M符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于移动电脑、笔记本电脑、超便携电脑、显卡的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关