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CMS8125

停产 1个P沟道 耐压:25V 电流:18A

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商品型号
CMS8125
商品编号
C5203772
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))5.3mΩ@10V,18A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)160nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2nF@10V
反向传输电容(Crss)1.44nF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 开关速度快
  • 导通电阻低
  • 100%保证耐雪崩能力
  • 驱动要求简单

应用领域

  • 直流-直流转换器-负载开关-无刷直流电机驱动器

数据手册PDF