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CMS8125
停产 1个P沟道 耐压:25V 电流:18A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS8125
- 商品编号
- C5203772
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.44nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS8125采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和极低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 5.3mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 7.5mΩ
- 极低的导通电阻
- 表面贴装封装
应用领域
- 逆变器开关
- 同步整流器
- 负载开关
- DC/DC转换器