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CMN2808MD
1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- CMN2808MD采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备静电放电（ESD）保护功能。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2808MD
- 商品编号
- C5203788
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN2302BSM采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55 mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 75 mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理-功率放大器开关