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CMS4606B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6A 6.5A
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- 描述
- CMS4606B采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和较低的栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4606B
- 商品编号
- C5203802
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V；14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V；700pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF；95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；140pF |