温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMS4812
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CMS4812采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关和同步整流器组合，适用于降压转换器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4812
- 商品编号
- C5203804
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,6.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS4812采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关和同步整流器组合，适用于降压转换器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 23 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 30 mΩ
- 采用表面贴装封装的双MOSFET
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 便携式设备
- 笔记本电脑电源管理