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AOD514
1个N沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- 514采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- AOD514
- 商品编号
- C5203819
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
85N03A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关