温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSA3811
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A 15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CMSA3811采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA3811
- 商品编号
- C5203808
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V；15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF；1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF；120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMU6780A是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。CMU6780A符合RoHS标准，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 30V、16A,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 12mΩ
- -30V、-15A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 35mΩ
- 表面贴装封装
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用