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CMD3080M
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 3080M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。3080M符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩测试（EAS），具备全面的功能可靠性认证
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3080M
- 商品编号
- C5203818
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
100N03采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于多种应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于移动电脑、笔记本电脑、超便携电脑、显卡的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关