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CMD3080M
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 3080M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。3080M符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩测试（EAS），具备全面的功能可靠性认证
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3080M
- 商品编号
- C5203818
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |