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CMU6780A
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- CMU6780A 是具有极高单元密度的高性能沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。CMU6780A 符合 RoHS 标准，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU6780A
- 商品编号
- C5203813
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMSC3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关