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CMSC3606
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 15A
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- 描述
- CMSC3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC3606
- 商品编号
- C5203806
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@15V；6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±3V |