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CMSC3606
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 15A
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- 描述
- CMSC3606是具有高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC3606
- 商品编号
- C5203806
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@15V；6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
06N02N是一款N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻和出色的开关特性，专为低压大电流应用而设计，如带同步整流器的DC/DC转换器。
商品特性
- 30V、20A,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 25mΩ
- 30V、-15A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 45mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用