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IRF7456
1个N沟道 耐压:20V 电流:16A
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- 描述
- IRF7456采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于多种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- IRF7456
- 商品编号
- C5203792
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN3419M是P沟道增强型功率MOSFET，采用串联设计。具有开关速度快、导通电阻低、稳定性好等特点。适用于商业和工业表面贴装应用，也适用于DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 72mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 90mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关