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CMS2808D
1个N沟道 耐压:20V 电流:11A
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- 描述
- CMS2808D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM应用中的同步开关。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS2808D
- 商品编号
- C5203789
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低导通电阻RDS(on)可确保功率损耗降至最低并节约能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括DC-DC转换器，以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 13.5 mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) ≤ 18 mΩ
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 同步整流器
- 负载开关
- 电池保护