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CMSC8693D
2个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- CMSC8693D旨在提供一个具有优化布局和电路板空间利用率的高效同步降压功率级。该器件非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC8693D
- 商品编号
- C5203790
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
CMSC7404将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 20V、12A,VGS = 4.5V时RDS(ON) = 11mΩ
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器