CMSA6411
1个P沟道 耐压:20V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CMSA6411采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6411
- 商品编号
- C5203773
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺,以实现低导通电阻(RDS(on)),并确保最小的功率损耗和散热。典型应用包括便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话)中的DC-DC转换器和电源管理。
商品特性
- 快速开关速度
- 较低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 驱动要求简单
应用领域
-负载开关-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理
