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CMSA6411
1个P沟道 耐压:20V 电流:85A
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- 描述
- CMSA6411采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6411
- 商品编号
- C5203773
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@2.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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