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CMSA6683
1个P沟道 耐压:20V 电流:54A
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- 描述
- CMSA6683将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6683
- 商品编号
- C5203778
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 730pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
1402T将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 更低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 驱动要求简单
应用领域
-负载开关-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理