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CMN2302BSM
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- CMN2302BSM采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2302BSM
- 商品编号
- C5203784
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN2333M采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 37mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关