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CMN2300AM
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2300AM
- 商品编号
- C5203785
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS9926B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作单向或双向负载开关。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 22mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 30mΩ
- 采用表面贴装封装的双MOSFET，高密度单元设计实现超低导通电阻
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 电池保护
- 电源管理