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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSC6683

1个P沟道 耐压:20V 电流:54A

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商品型号
CMSC6683
商品编号
C5203776
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)54A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)80nC@4.5V
输入电容(Ciss)5.5nF
反向传输电容(Crss)730pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺,以实现低导通电阻(RDS(on)),并确保最低的功率损耗和散热。典型应用包括DC-DC转换器,以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • P沟道MOSFET
  • 低导通电阻
  • 表面贴装封装
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • DC - DC降压转换器的高端开关
  • 笔记本电池电源管理
  • 笔记本中的负载开关

数据手册PDF