CMSC6683
1个P沟道 耐压:20V 电流:54A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC6683
- 商品编号
- C5203776
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 730pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺,以实现低导通电阻(RDS(on)),并确保最低的功率损耗和散热。典型应用包括DC-DC转换器,以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC降压转换器的高端开关
- 笔记本电池电源管理
- 笔记本中的负载开关
