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CMSC7423B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSC7423B

1个P沟道 耐压:20V 电流:50A

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描述
CMSC7423B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品型号
CMSC7423B
商品编号
C5203777
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.07克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))6.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)70nC@4.5V
输入电容(Ciss)5.5nF@10V
反向传输电容(Crss)720pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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    (5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个5000个/圆盘

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