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CMN2717M
1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- CMN2717M 是 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用排阵式设计。它具有开关速度快、导通电阻低、稳定性好的特点。适用于商业和工业表面贴装应用，也适合用于如 DC/DC 转换器等低压应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2717M
- 商品编号
- C5203779
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSC8693D旨在提供一个高效率同步降压功率级，实现最佳布局和电路板空间利用。该器件非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。
商品特性
- 20V、12A，VGS = 4.5V时RDS(ON) = 11mΩ
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器