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CMD20P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:19A
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- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以实现低导通电阻（rDS(on)），并确保将功率损耗和散热降至最低。典型应用包括便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）中的DC-DC转换器和电源管理。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD20P03
- 商品编号
- C5203764
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |