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CMS6679
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- CMS6679采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS6679
- 商品编号
- C5203765
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Cmos的先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关和低导通电阻的最佳组合。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC降压转换器中的高端开关
- 笔记本电池电源管理
- 笔记本中的负载开关