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PMCM4401VNEAZ
1个N沟道 耐压:12V 电流:4.7A
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- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术、采用4凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCM4401VNEAZ
- 商品编号
- C552738
- 商品封装
- WLCSP-4(0.8x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW；12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、4凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小封装:0.78 x 0.78 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路