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DD008NG-S

N沟道 40V 60A

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描述
N管/40V/60A/5.6MΩ/(典型6.5MΩ)
商品型号
DD008NG-S
商品编号
C53281795
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.361389克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)54.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.45nF
反向传输电容(Crss)144pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)182pF

商品特性

  • VDS=40V,ID=60A,在VGS=10V时,RDS(ON)<6.5mΩ(典型值:5.6mΩ)
  • 低栅极电荷。
  • 提供绿色环保器件。
  • 采用先进高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻。
  • 封装优良,散热性能好。
  • MSL3。

数据手册PDF