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DD016NG

N沟道 40V 30A

描述
N管/40V/30A/13MΩ/(典型10MΩ)
商品型号
DD016NG
商品编号
C53281794
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.472087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.25nF
反向传输电容(Crss)96pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)109pF

商品特性

  • 漏源电压为40V,漏极电流为30A,在栅源电压为10V时,导通电阻小于12mΩ(典型值:9mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 提供绿色环保器件选项
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻
  • 优异的封装设计,散热性能良好
  • 湿度敏感等级为3级

数据手册PDF