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DC003NG-E
N沟道 30V 150A
- 描述
- N管/30V/150A/3MΩ/(典型2.3MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DC003NG-E
- 商品编号
- C53281792
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 499pF |
商品概述
该N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS=30V，ID=150A，RDS(ON)<3mΩ@VGS=10V（典型值：2.3mΩ）
- 低栅极电荷。
- 提供绿色器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)。
- 优异的封装，散热性能良好。
- MSL3。